| 型号：NSBC114EDXV6T1G | 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：SOT-563，SOT-666 | 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 | |
详细参数
| 类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
|---|---|
| 描述 | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 100mA |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
| 电阻器_基极（R1）111欧222 | 10k |
| 电阻器_发射极（R2）111欧222 | 10k |
| 在某IceeeVce时的最小直流电流增益（hFE） | 35 @ 5mA，10V |
| IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
| 频率_转换 | - |
| 功率_最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | Digi-Reel® |
供应商
| 深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
| 深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱先生0755-83211840 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市金亿泰电子有限公司 | 郑086-755-83252273 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市昭兴微电子有限公司 | 林裕忠0755-23991909 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市杰兴微电子有限公司 | 林0755-23995152 |
NSBC114EDXV6T1G相关型号
- NSB8JT-E3/45
单二极管/整流器
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FET - 单
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- SSA-126-W-T-RA
板至板 - 接头，插座，母插口
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CONN RCPT .100＂ 26POS TIN WW R/A
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- TK6A45DA(STA4,Q,M)
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- SSA-128-W-G-RA
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- NSBC123EDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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SOT-563，SOT-666
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- TG.22.0111W
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晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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- TG.22.0112
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Taoglas Limited
SC-90，SOD-323F
ANT 5-BAND GSM DIPOLE
- SMA5J13C-E3/5A
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
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- NSBC123JDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
ON Semiconductor
SOT-563，SOT-666
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- NSBC123JDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
ON Semiconductor
SOT-563，SOT-666
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
